Διάλεξη 1 / Διάλεξη 1 - Χατζόπουλος Αλκιβιάδης (ΑΡΙΣΤΟΤΕΛΕΙΟ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΘΕΣΣΑΛΟΝΙΚΗΣ, 2014)
Διάλεξη 1: Ελεκτρονική τρία περιλαμβάνει την θεωρητική παρουσίαση που θα σας κάνω εγώ. Υπάρχουν ασκήσεις τις οποίες θα σας κάνει η κυρία Καδή. Υπάρχουν εργαστήριο το οποίο θα σας κάνει ο κ. Κωνσταντινίδης. Και θα υπάρχει, ελπίζω και φέτος, να τα καταφέρουμε να στήσουμε τον διαγωνισμό σχεδίεσης ολοκληρωμένου τελεστικού ενισχυτή, στον οποίο όσοι ενδιαφέρεστε να συμμετέχετε, η εργασία θα είναι υποχρεωτική για όλους, αλλά όσοι ενδιαφέρονται για το διαγωνισμό θα σας πούμε περισσότερα πράγματα για να πάρετε κάποια επιπλέον μία μιάμιση μονάδα, εφόσον καταφέρετε να σχεδιάσετε έναν πολύ καλό τελεστικό ενισχυτή. Το μάθημα περιλαμβάνει αυτά τα θέματα. Δηλαδή αυτό που είδαμε στο προηγούμενο εξάμενο στην Ελεκτρονική 2 σαν ανάλυση του τελεστικού ενισχυτή, εδώ θα κάνουμε μια σύντομη επανάληψη της ανάλυσης του τελεστικού ενισχυτή, αλλά θα το δούμε και σαν σχεδίαση. Δηλαδή θα μάθετε μια διαδικασία για να μπορέσει, δηλαδή ένα κύκλωμα το οποίο όπως ξέρετε είναι της τάξης των 15 τρανσίστορ, δεν παραπάνω, έναν τελεστικό ενισχυτή δύο βαθμίδων, πώς μπορεί να τον σχεδιάσει συστηματικά με βάση της προδιαγραφές λειτουργίας, της μακροσκοπικές προδιαγραφές λειτουργίας. Στη συνέχεια έχουμε τα κυκλώματα ανόρθωσης, διόδου-ζένερ, αυτό είναι ένα κεφάλαιο το οποίο, εντάξει θα μπορούσαμε να το έχουμε κάνει και νωρίτερα, αλλά η ύλη τελικά είναι αρκετά μεγάλη, μπας περίπτωση θα δούμε κυκλώματα για την ανόρθωση, τα έχουμε δει έτσι εισαγωγικά λίγο στις διόδους εκεί σαν παραδείγματα, εδώ θα τα δούμε λίγο πιο συστηματικά, θα δούμε δηλαδή και τρόπους ας πούμε, μορφές, παραμέτρους ο οποίες χρησιμοποιούμε σε αυτά τα κυκλώματα. Το επόμενο κεφάλαιο είναι κυκλώματα αναφοράς, τα οποία επίσης, όχι κυκλώματα αναφοράς δεν έχουμε δει μέχρι τώρα, είναι πολύ σημαντικά κυκλώματα, γιατί υπάρχουν παντού, δηλαδή ας πούμε κάνετε ένα AD Converter με το τροπέα αναλογικού σε ψηφιακό, κάπου χρειάζεται μια τάση αναφοράς, κάνετε ένα σωρό άλλα κυκλώματα, στα οποία λέμε ότι κάπου ξεκινάμε να έχουμε μια τάση αναφοράς ή ένα ρεύμα αναφοράς. Συνέχεια το λέμε αυτό, αλλά συνήθως κάνουμε ένα κυκλάκι, βάζουμε ένα βελάκι και λέμε J reference ή V reference. Αυτό το δούμε πως γίνεται με κύκλωμα, δηλαδή είναι σημαντικό το reference αυτό να είναι σταθερό με τη θερμοκρασία για παράδειγμα. Δηλαδή να βγάζει 1,2 V, είτε η θερμοκρασία είναι μειών 40, είτε η θερμοκρασία είναι στις 150. Και αυτό δεν είναι εύκολο, δηλαδή είναι ολόκληρη θεωρία το πως μπορούμε και κυκλώματα, τοπολογίες συγκεκριμένες, το πως καταφέρνουμε να πετύχουμε αυτές τις επιδόσεις. Μετά έχουμε τους ενισχυτές ισχύους. Έχουμε, μέχρι τώρα έχουμε δει ενισχυτές σήμαθος κατά βάση, έτσι δεν έχουμε δει άλλους ενισχυτές. Τώρα θα δούμε την κατηγορία ενισχυτών ισχύους και στη συνέχεια όποιος ακολουθήσει πάρει τηλεπικοινωνική ηλεκτρονική θα δούμε και ενισχυτές υψηλών συχνοτήτων, εκεί είναι η άλλη κατηγορία. Εδώ θα δούμε ισχύους, λίγα πράγματα βέβαια, έχει όλη την γκάμα, όταν θέλουμε να ενισχύσουμε ισχύ. Θέλουμε δηλαδή να δώσουμε σε ένα μεγάφωνο το σήμα, έτσι να μπορέσουμε να το ακούσουμε σε ένα μεγάφωνο. Ελεκτρονικά ελέγχου ισχύους, αυτό είναι ένα τεράστιο κεφάλαιο, ουσιαστικά είναι δυο εξαμηνία μαθήματα στους ενεργειακούς. Εμείς εδώ όμως επειδή πιθανόντατα κάποιοι από εσάς, ίσως οι πιο πολλοί, δεν θα πάρετε αυτά τα μαθήματα, είμαστε εγκασμένοι να αναφέρουμε λίγα πράγματα, έτσι στην τάξη του ενός δύοωρου, ίσως και λίγο παραπάνω, να αναφέρουμε τα ελεκτρονικά ελέγχου ισχύους. Διότι είναι κεφάλαιο, είναι ας πούμε μεγάλο κομμάτι των ηλεκτρονικών των αυτοκινήτων, όπου εκεί χρειάζεστε έλεγχο ισχύους. Και σε ένα σωρό βιομηχανικές εφαρμογές, έτσι ηλεκτρογενήτριες, μεταφορά ενέργειας, όλα αυτά έχουνε τεράστια γκάμα εφαρμογών, επομένως έχουμε τα ελεκτρονικά αυτά τα οποία εμείς θα τα πούμε συνοπικά, απλώς και μόνο να τα γνωρίσετε σαν εισαγωγικά κατά κάποιο τρόπο. Και μετά έχουμε τους ειδικούς τύπους σημειωγών, να δούμε τι θα προλάβουμε, πόλα αυτά να κάνουμε, εξαρτάται από την ροή, η ειδική τύπη είναι πάρα πολύ, θα δούμε τι θα προλάβουμε να κάνουμε. Αυτά λοιπόν για τη θεωρία. Αντίστοιχες ασκήσεις θα κάνετε στα περισσότερα κομμάτια, δηλαδή σε όλα τα κεφάλαια που είναι έως πέντε υπάρχουν και οι αντίστοιχες ασκήσεις. Από διάφορη βιβλιογραφία, όλη η βιβλιογραφία δηλαδή υπάρχει στο site, δεν υπάρχει θέμα. Και χρησιμοποιούμε και κομμάτια από αυτό το βιβλίο του Σέντρα Σμιθ, το οποίο έχει κάποια από αυτά, κάποια άλλα κομμάτια είναι από άλλη βιβλιογραφία. Τα εργαστήρια που είπα θα κάνετε με τον κ. Κωνσταντινίδη είναι δύο εργαστριακές ασκήσεις. Δεν έχουν άμεση σύνδεση με τα θέματα αυτά, αλλά περισσότερο με μια καλύτερη εξικίωση με μεγαλύτερα κυκλώματα, πέρα από αυτά τα απλά κυκλώματα του ενισχυτή μιας φαχνίδας. Εξικίωση λοιπόν με λίγο μεγαλύτερα κυκλώματα, με τη συμπεριφορά δηλαδή λίγο μεγαλύτερα κυκλώματα. Και κυρίως αυτό το εργαστήριο έχει σαν στόχο να σας δω στην ευκαιρία να συνειτοποιήσετε τη διαφορά μεταξύ θεωρητικής ανάλυσης, πρακτικής λειτουργίας και προσωμίωσης. Δηλαδή τι μαθαίνουμε θεωρητική λειτουργία, τι συμβαίνει στην πράξη με μετρήσεις σε κύκλωμα και βεβαίως τι γίνεται με την προσωμίωση, δηλαδή πού πέφτει η προσωμίωση σε όλα αυτά. Κανονικά είχαμε πει, το έχετε ακούσει φαντάζουμε αρκετές φορές, ότι το SPICE, γενικά η χρησιμοποίηση τέτοιων εργαλείων, στόχος είναι να προσεγγίσουμε την πραγματικότητα. Όλη η ιστορία είναι να δείτε τα μοντέλα να προσεγγίσουν την πραγματικότητα. Επομένως αυτό θα δείτε. Θα δείτε ένα λικαδίο ασκήσεις θα κάνετε όλες και όλες, όχι παραπάνω, που σημαίνει ότι θα μπείτε με κάποιο ρυθμό, θα βγάλει ο κ. Κωνσταντινίδης κάποιο πρόγραμμα τέλος πάντων, θα μπείτε με κάποιο ρυθμό και θα κάνετε τις ασκήσεις αυτές. Και θα μας παρουσιάσετε στο τέλος αυτήν την μορφή, δηλαδή μετρήσεις, θεωρητική λειτουργία, μετρήσεις και προσομίωση με το σπάις και σύγκριση. Αυτή θα είναι η εργασία που θα κάνετε, αλλά θα ήθελα να τα κάνουμε λίγο πιο συστηματικά, θα τις λέμε τις ασκήσεις, θα τις λέμε αναλυτικά τις ασκήσεις, τις δύο δηλαδή εργαστιακές ασκήσεις θα τις συζητήσουμε εδώ στη διάρκεια του μαθήματος. Πριν την άσκηση, θεωρήστε και να ξέρετε τι περιμένετε να δείτε. Είναι πάρα πολύ σημαντικό αυτό για να μπορέσετε να ωφεληθείτε. Δηλαδή, να ξεχάσουμε αυτό το έδευ αργές δεν πάει καλά, φταίει το κύκλωμα. Δεν φταίει το κύκλωμα, δεν φταίει το ράστερ, δεν φταίει τα καλωδιά και δεν φταίει ο βροχερός καιρός σήμερα. Φταίει το ότι ας πούμε το συγκεκριμένο εκάρθυμα έχει συγκεκριμένους περιορισμούς στη λειτουργία του. Αυτό πρέπει να ξεκαθαρίσουμε. Δηλαδή, πού είναι πρόβλημα κακής επαφής και πού είναι πρόβλημα λειτουργίας του εξαρτήματος. Νομίζω ότι ήδη έχετε εμπειρία από δυο μαθήματα ηλεκτρονικής και αντίστοιχα εργαστήρια και ψηφιακών κλπ. Κι επομένως, νομίζω ότι είναι ευκαιρία. Προσπαθήστε τα εργαστήρια να τους δώσετε λίγο παραπάνω σημασία, να καταλάβετε πράγματα. Έτσι καθώς είστε αρκετά λιγότεροι από ό,τι ήσασταν στα γενικά ελεκτρονικά εργαστήρια. Επομένως, θα έχετε την ευκαιρία για λίγο καλύτερη μελέτη. Και όσον αφορά το διαγωνισμό, ελπίζω να καταφέρουμε να το κάνουμε και φέτος. Θα είναι η προδιαγραφή σχεδίασης ενός τέτοιου τελεστικού ενισχυτίου. Θα βασίζεται στην ύλη της πρώτης παρουσίασης, του πρώτου κεφαλαίου ας το πούμε. Θα έχετε συγκεκριμένες προδιαγραφές και αυτοί που θα πετύχουν, όσοι ενδιαφέρονται, η άσκηση το να γίνει με το σπάιση σχεδίας θα είναι υποχρετική για όλους. Όσοι ενδιαφέρονται μπορούν να προσπαθήσουν να πετύχουν βέλτιστα χαρακτηριστικά. Δηλαδή πρέπει καταρχήν να πετύχετε τις συνολικές προδιαγραφές, όλη τη λίστα σε όλα τα σημεία που θα έχουμε τις 6-7 προδιαγραφές να είστε μέσα. Και από εκεί και πέρα ποιος θα πετύχει ξέρω εγώ καλύτερο γινόμενο κέρδος ευρουζώνης. Ποιος θα πετύχει ελάχιστη επιφάνεια. Ποιος θα πετύχει ξέρω εγώ το καλύτερο κέρδος ανεξάρτητα από το ευρουζώνης και ούτω καθεξής. Εφόσον έχετε υποτίθεται πετύχει είστε μέσα σε όλες τις προδιαγραφές έτσι. Δεν γίνεται να, θα πρέπει πουσδήποτε να φροντίσετε να είστε μέσα σε όλες και να πετύχετε την καλύτερη προδιαγραφή. Μια προσπάθεια παραπάνω δηλαδή στη σχεδίαση θα γίνει εδώ μια παρουσίαση δηλαδή. Όσους συμμετέχουν ας πούμε θα στείλτε τις εργασίες και αυτοί που κάναν την καλύτερη δουλειά θα έρθουν εδώ να μας την παρουσιάσουν. Έτσι θα κάνω μια παρουσίαση ώστε όλοι να δούμε πράγματι πως έγινε η σχεδίαση και πως επιτεύχθηκε η βέλτιστη συμπεριφορά ως προς κάποια παράμετρα. Και βεβαίως και θα δούμε πως θα το κάνουμε και το overall. Δηλαδή συνολικά ας πούμε αν καταφέρει κάποιος να κάνει σε περισσότερες προδιαγραφές το βέλτιστο. Θα δούμε. Θα το κάναμε δυο χρονιές. Γενικά υπήρξε κάποια συμμετοχή. Όσοι έχουν χρόνο δηλαδή λίγο παραπάνω μπορούν να ασχοληθούν για αυτή τη συμμετοχή. Αυτά όσον αφορά το μάθημα και όλο το σενάριο αυτής της ηλεκτρονικής τρία. Δεν ξέρω αν έχετε να ρωτήσετε κάτι. Όσον αφορά... ναι. Καταρχήν το εργαστήριο θα είναι από ότι θυμάμαι των δύο ατόμων. Ομένως εκεί οι εργασίες θα είναι αναομάδα. Οι άλλες εργασίες του διαγωνισμού θα είναι ατομικές. Να σας κάνω την υπενθύμηση του κυκλώματος που θα μας απασχολήσει σε αυτά τα πρώτα μαθήματα. Το κύκλωμα λοιπόν είναι ένας τυπικός τελεστικός ενισχυτής. Τον είχαμε δει αναλυτικά στην ηλεκτρονική 2, τον είχαμε αναλύσει. Ουσιαστικά λοιπόν το πρώτο πακέτο των διαφάνιων εδώ δεν είναι τίποτε άλλο παρά μια επανάληψη όλων αυτών των διαφάνιων που είχαμε δει στην ηλεκτρονική 2. Έτσι λοιπόν θα πρέπει να συνηθίσουμε να βλέπουμε τις βαθμίδες του τελεστικού ενισχυτή. Δηλαδή το διαφορικός ζεύγος το οποίο αποτελείται από τα transistor Q1-Q2, έχουν ενεργό φορτίο τα Q3-Q4, έχουν πηγή τροφοδοσίας ρεύματος για τον διαφορικό το Q5 και στη συνέχεια ακολουθείται από μια δεύτερη βαθμίδα η οποία είναι ένας ενισχυτής κοινής πηγής, το Q6 όπως φαίνεται εκεί και φυσικά το ενεργό φορτίο για το Q6 το οποίο είναι το Q7. Από εκεί και πέρα στην αριστερή πλευρά του κυκλώματος βλέπουμε το Q8 το οποίο είναι το transistor το οποίο δίνει το ρεύμα. Δημιουργεί δηλαδή τους καθρέφτες Q8-Q5, Q8-Q7 και επομένως τροφοδοτή δίνει τα ρεύματα των δύο πηγών και βλέπετε εκεί το y-reference το οποίο το είχαμε δει τι είναι θα το δούμε ξανά, θα το ξανασχολιάσουμε. Φυσικά όταν πάμε να το κάνουμε αυτό κύκλωμα δεν πρέπει να βλέπουμε τίποτε άλλο παρά transistor. Transistor και πιθανόν αντιστάσεις και χωρητικότητες ελάχιστες. Δηλαδή αυτό το y-reference όπου το βλέπετε είναι απλώς σχηματική αναπαράσταση ενός πακέτου εξαρτημάτων το οποίο απλά εκεί μας δημιουργεί τη συγκεκριμένη συνθήκη. Ένα ρεύμα αναφοράς ή σε άλλη περίπτωση μια τάση αναφοράς. Θυμίζουμε την αντίσταση εξόδου. Είναι η αντίσταση εξόδου, η κλασική έκφραση για την αντίσταση εξόδου ενισχυτή με ενεργό φορτίο. Είναι ουσιαστικά ο παράλληλος συνδυασμός των δύο αντιστάσεων εξόδου του transistor, δηλαδή του transistor που ενισχυθεί και του ενεργού φορτίου. Το κέρδος τάσης της πρώτης βαθμίδας του διαφορικού ζεύγους είναι κατά τα γνωστά Gm1, δηλαδή η διαγωγημότητα του ενός από δύο transistor του Q1 ή Q2, επί την αντίσταση εξόδου του διαφορικού ζεύγους, η οποία είναι και εδώ πάλι ο παράλληλος συνδυασμός των αντιστάσεων εξόδου του Q4 και του Q2. Βλέπετε την αντίσταση. Η έξοδος του διαφορικού είναι εδώ και επομένως η αντίσταση εξόδου είναι ο παράλληλος συνδυασμός των δύο αντιστάσεων εξόδου των δύο transistor. Αντίστοιχα ο ίδιος τύπος για την περίπτωση του ενισχυτή κοινής πηγής. Έτσι, είναι το Gm6 επί την αντίσταση που υπάρχει εδώ, παράλληλος συνδυασμός των αντιστάσεων εξόδου των δύο transistor. Στη συνέχεια, εδώ ήταν ένα παράδειγμα το οποίο είχαμε δει αναλυτικά, να βρεθεί το σημείο λειτουργίας για όλα αυτά τα transistor. Εδώ βλέπετε, είναι παράδειγμα ανάλυσης, δηλαδή τι σημαίνει ανάλυσης, σημαίνει ότι μας δίνονται οι γεωμετρίες των transistor, δηλαδή μας δίνεται το μέγεθος των transistor και προσπαθούμε εμείς να βρούμε το σημείο λειτουργίας των transistor αυτών. Και βεβαίως να δούμε και τη συμπεριφορά του ενισχυτή, υπολογίζοντας τα κέρδη των επιμέρους βαθμίδων, το συνολικό κέρδος στην περιοχή του κοινού σήματος εξόδου και το εύρος τάσης εξόδου, είναι δύο παράμετρη, οι οποίες μας ενδιαφέρουν ιδιαίτερα στον τελεστικό ενισχυτή, τι χάνουμε, δηλαδή τροφοδοτούμε με simple 2,5V εδώ, ας πούμε, τι γίνεται με το χρήσιμο σήμα, από πόσο μέχρι πόσο μπορεί να είναι. Και εδώ μια παρατήρηση που συνήθως ισχύει, να αγνοηθεί η επίδραση της Β' στο ρέγμα απόλωσης, δηλαδή όταν θα λύσουμε την εξίσωση για το DC, να μη λάβουμε υπόψη μας στην τάση έργλη, δηλαδή την αντίσταση εξόδου του ενισχύτη, παρά μόνο στην περίπτωση του κέρδους, έτσι, για το AC. Και θυμίζω εδώ ότι, ξεκινάμε, προσέξτε και εδώ, το y-reference είναι δεδομένο. Τα χαρακτηριστικά των τρανζίστορ, σε κάθε περίπτωση, είτε στην ανάλυση, είτε στις σχεδίες, θα δούμε στη συνέχεια, είναι δεδομένα. Έτσι, τα χαρακτηριστικά, εννοείται ότι τα ξέρουμε. Η τάση έργλη, βέβαια, και η τάση τροφοδοσίας. Άρα, η διαφορά μεταξύ ανάλυσης και σχεδίασης, είναι ότι, στην ανάλυση, μας δίνονται η γεωμετρία, η διαστάση των τρανζίστορ και το ρεύμα εδώ που χρειαζόμαστε, και ζητάμε τα χαρακτηριστικά. Στη σχεδίαση, θα είναι το ανάποδο. Θα μας δίνονται αυτά και θα μας ζητάτε, θα μας ζητείτε, να βρεθούν οι διαστάσεις των τρανζίστορ, τι ρεύμα χρειαζόμαστε. Αυτό που δεν σχολίασα μέχρι τώρα, βέβαια, είναι αυτό εδώ, το κύκλωμα, το οποίο είναι κύκλωμα αντιστάθμισης συχνότητας. Εδώ, εμφανίζεται ως ένας απλός πυκνωτής. Το ξέρουμε, το έχουμε δει και πυκνωτής σε σειρά με αντίσταση. Τι κάνει αυτό εδώ, να θυμίσω ότι, αν δείτε τη συνάρτηση μεταφοράς, έχει πολλούς πόλους, έτσι μηδενικά, πόλους και λοιπά. Δεν μας αρέσει αυτό, γιατί δεν μπορούμε να υπολογίσουμε καλά τη συμπεριφορά. Θυμίζω ότι μας βολεύει πάρα πολύ να δείχνουμε ότι η απόκριση είναι απόκριση ενός πόλου, δηλαδή είναι κάτι τέτοιο. Μας βολεύει πάρα πολύ στο να λογαριάσουμε τη συμπεριφορά, αν έχουμε μια τέτοια απόκριση. Και για να το πετύχουμε αυτό, χρειάζεται να κατεβάσουμε συνήθως λίγο την συχνότητα, έτσι ώστε αυτό εδώ το κύκλωμα, να μας δημιουργεί αυτήν την μονότονη απόκριση εδώ, έτσι ώστε να έχουμε συμπεριφορά κυκλώματος ενός πόλου. Η γνωστή κλήση εδώ, τα 20 dB ανά δεκάδα. Αυτός είναι ο ρόλος αυτής της χορητικότητας και επαναλαμβάνω μπορεί σε κάποιες περιπτώσεις να είναι σε σειρά και με κάποια αντίσταση. Άρα, αυτή η σύζευξη καθορίζει την συχνοτική συμπεριφορά του όλου κυκλώματος. Πάμε εδώ στην ανάλυση με τα τρανζίστορο και τις σχέσεις των ρευμάτων. Παρατηρούμε διαστάσεις. Βλέπουμε ότι το Q8, το Q5 και το Q7 μας δίνεται ότι είναι ίδια διάσταση, 40 προς 0.8. Επομένως, το ρεύμα Ι reference καθρεφτίζεται με ίδια τιμή και από το Q5 και από το Q7. Και επομένως έχουμε ότι το Ι που κατεβαίνει στον διαφορικό και το ρεύμα εκκροής του κλάδου εξόδου θα είναι ίσο με το Ι reference. Αυτό λοιπόν καθορίζεται από αυτές τις διαστάσεις. Θυμίζω ότι παίζοντας με τη γεωμετρία, καθώς ζωγραφίζουμε δηλαδή τα τρανζίστος στην φάση που κάνουμε πρακτικό κύκλωμα, εδώ στο SPICE εμείς απλώς βάζουμε ένα νούμερο στη διάσταση. Όταν πάμε να το κάνουμε αυτό σε πραγματικό ολοκληρωμένο κύκλωμα, απλώς ζωγραφίζουμε λίγο μεγαλύτερο ή λίγο μικρότερο το τρανζίστο. Εδώ λοιπόν μπορούμε έχοντας τα ρεύματα, χρησιμοποιούμε αυτή την εξίσωση, μπορούμε να υπολογίσουμε την τάση Vover voltage και ουσιαστικά να υπολογίσουμε τις Vgs, στη συνέχεια έχοντας τη Vover voltage και τα ρεύματα να υπολογίσουμε τις διαχωγημότητες και εφόσον έχουμε τα ρεύματα βεβαίως υπολογίζουμε και την αντίσταση εξόδου των τρανζίστον. Άρα χρησιμοποιώντας τις εξισώσεις της, πολύ απλές 2-3 εξισώσεις που είδαμε προηγουμένως, μπορούμε να υπολογίσουμε καταρχήν όλα τα ρεύματα, αυτά δεν χρειάζονται εξίσωση, είναι φανερά από το κύκλωμα, έτσι. Αφού το Ι είναι 90, το Ι του διαφορικού, σε κάθε τρανζίστορ περνάνε 45 μικρόαμπερ. Αντίστοιχα λύνουμε και με βάση της διαστάσης διαπιστώνεται ότι το Vover voltage είναι κοινό, έτσι. Αυτό είναι κάτι το οποίο συνηθίζεται να βγαίνει τελικά ότι θέλουμε κοινό Vover voltage, τάση περιοδήγησης, ώστε να είναι στο ίδιο σημείο λειτουργίας περίπτω το τρανζίστορ. Τα Vgs λύνονται και αυτά βλέπετε κοντινά είναι. Η διαφορά που προκύπτει εδώ είναι γιατί αυτά τα τρανζίστορ είναι nMOS, ενώ αυτά εδώ είναι pMOS. Και επομένως έχουν λίγο διαφορετικό Vtaf στην πραγματικότητα. Αν ήταν η τεχνολογία τέτοια ώστε τα Vtaf να είναι ίδια και αυτά θα ήταν ίδια, όλα. Βλέπετε οι διαγωγημότητες στο κέρδος δηλαδή των τρανζίστορ. Εδώ είναι 0.3, σε αυτό το τρανζίστορ είναι 0.6. Και αντίστοιχα οι αντιστάσεις εξόδου όπου μας χρειάζονται μετά εδώ στα κέρδη έχουν αυτές τις θυμές. Από τις απλές εξισώσεις που είδαμε τις 3-4 απλές εξισώσεις που είδαμε προηγουμένως για αυτά. Στη συνέχεια τα επιμέρους κέρδη από τους δύο τύπους. Βλέπουμε ότι και οι δύο βαθμίδες έχουν περίπου το ίδιο κέρδος, όχι περίπου, εδώ βγαίνει ακριβώς το ίδιο κέρδος. Βλέπετε διπλάσια διαγωγημότητα έχει δεύτερη βαθμίδα ενίσχυσης, αλλά έχει διαφορά στις αντιστάσεις εξόδου. Και επομένως το τελικό αποτέλεσμα είναι ότι τα δύο κέρδη είναι ίδια. Βεβαίως το γινόμενο είναι το ζητούμενο και είναι βλέπετε 1.100 φορές. Και αυτό το συνηθίζουμε να μιλάμε με την π. Δηλαδή στο κέρδος αντί να πούμε 1.100 φορές λέμε 61 dB το ίδιο πράγμα είναι. Είναι συνήθεια πρακτική στα κέρδη να μην μιλάμε πολύ μεγάλους αριθμούς, να μιλάμε σε δεσιμπέδρ. Άρα λοιπόν λύσαμε, απαντήσαμε στις περισσότερες ερωτήσεις που είχαμε θέσει. Και απαντήσαμε στο θέμα της στα όρια στα οποία λειτουργεί το κύκλωμα. Τα όρια δηλαδή του σήματος που είπαμε είναι μία παράμετρος πολύ χρήσιμη για την εφαρμογή. Επομένως αυτό που θέλουμε είναι να δούμε τα όρια της εισόδου από πόση μέχρι πόση τάση μπορεί να δεχθεί η είσοδος και από πόση μέχρι πόση τάση βγάζει η έξοδος. Κατά το μέγιστο. Το στοιχείο το οποίο χρησιμοποιούμε είναι η απέτηση τα transistor όλα να παραμένουν στην περιοχή κορεσμού. Άρα λοιπόν θα πρέπει, γνωρίζετε τις συνθήκες για τα MOS transistor, έτσι το VDS ας πούμε πρέπει να είναι μεγαλύτερο από VGS-VTF στα NMOS για να είμαστε στην περιοχή κορεσμού. Άρα λοιπόν αυτό εδώ, έτσι, κατά κιν κάνουμε την παρατήρηση η τάση στο VD1, εδώ δηλαδή στην εκκροή του transistor 1 είναι VSS συν VGS3. Εδώ είναι μια τάση VGS. Άρα εδώ έχουμε την τιμή ότι το DC εδώ είναι μίον 1,5 V στο VD. Άρα για να παραμένει το transistor Q1 στον κορεσμό θα πρέπει να ισχύει η γνωστή σχέση ότι το VDS1 είναι μεγαλύτερο από το VGS1 μίον VTF π. Εδώ λίγο θα ήθελα να προσέξουμε τις θυμές γιατί πολλές φορές με τα π και τα εν υπάρχει ένα θέμα με τα συν και τα π. Εδώ πάντοτε θυμίζω ότι μας ενδιαφέρει να έχουμε κατά νου την πραγματική συσχέτηση των μεγετών στις χαρακτηριστικές. Και είπαμε αυτή την εικόνα καλό είναι να τη θυμάστε πάντα ότι αυτό εδώ είναι το NMOS και αυτό εδώ είναι το PMOS transistor, οι χαρακτηριστικές του, χαρακτηριστικές εξόδου δηλαδή εδώ είναι VDS, εδώ είναι YD. Συγγνώμη αυτά δεν τα πήγαμε καλά. Άρα λοιπόν εδώ είναι το PMOS, εδώ είναι η καμπύλη υποτίθεται πάνω από τις οποίες στη μέση σταθεροποιείται η τάση, εδώ αντίστοιχα η καμπύλη που σταθεροποιείται η τάση και γίνεται σχεδόν οριζόντιες. Άρα λοιπόν αν θυμόμαστε ότι αυτό είναι το VGSμΒΤ, τα σημεία αυτά είναι εκεί όπου το VGSμΒΤ γίνεται ίσον με VDS, θυμόμαστε λοιπόν ότι για να είμαστε στην περιοχή χορεσμού πρέπει το VDS να είναι μεγαλύτερο από το VGSμΒΤ. Αντίστοιχα εδώ θα πρέπει και πάλι το VDS, το οποίο εδώ είναι αρνητικά, έτσι, οι τιμές εδώ είναι το μίον VDS. Θα πρέπει οι τιμές να είναι κατά απόλυτη τιμή μεγαλύτερες από VGSμΒΤ. Πρέπει να το γράψουμε με το σωστό τρόπο, δηλαδή να ξέρουμε ότι αν αυτό που γράφουμε είναι απόλυτες τιμές ή αν είναι, όταν πάμε να κάνουμε την αριθμητική αντικατάσταση, εδώ για παράδειγμα δεν φαίνεται ότι μιλάμε για απόλυτες τιμές, έτσι. Εδώ το VDS είναι κανονικά θα πρέπει να είναι μεγαλύτερο κατά απόλυτη τιμή, αλλά είναι γραμμένο έτσι τώρα εδώ με την έννοια ότι δεν χρησιμοποιούμε το πρόσημο, έτσι. Το τρανζίστρο λοιπόν πρέπει το VDS του να είναι μεγαλύτερο κατά απόλυτη τιμή από το VGSμΒΤ. Και επομένως εδώ, δηλαδή το VD1 πρέπει να είναι μεγαλύτερο απόλυτη τιμή από το VGμΒΤ. Επομένως το VD1ΣΒΤ θα πρέπει να είναι η ελάχιστη τιμή όπου εδώ αυτό θα πρέπει να είναι τελικά μίον 2,3 V. Αυτή είναι η ελάχιστη τιμή που πρέπει να έχει η είσοδος, είναι το VZ το ελάχιστο για να μπορέσει να μείνει το τρανζίστρο στον κόρο. Αντίστοιχα, η τιμή πρέπει να είναι, αυτή είναι η ελάχιστη τιμή, δηλαδή θα πρέπει η τάση στην είσοδο εδώ στην πύλη να είναι μεγαλύτερη από μίον 2,3, όχι κατά απόλυτη τιμή, δηλαδή να είναι μίον 2,2 μίον 2,1. Επαναλαμβάνω ότι λίγο προσοχή, δηλαδή αυτή είναι η ελάχιστη τιμή καταπραγματική. Λίγο προσοχή εδώ στην ερμηνεία των αριθμών. Άρα λοιπόν θέλουμε τιμές μεγαλύτερες από τόσο, δηλαδή μίον 2,2 μίον 2,1 μίον 2 V. Όταν γράφουμε αυτό, παναλαμβάνω, δείτε, μιλάμε για αυτή την περιοχή, αυτή εδώ η καμπύλη είναι VDS ίσον VGS μίον VTAP. Εντάξει αυτή η καμπύλη είναι αυτή. Και πάλι, άρα λοιπόν εδώ θέλουμε τιμές οι οποίες να είναι προς τα εδώ. Και γράφοντας εκεί το VDS μεγαλύτερο, έτσι πως είναι δοσμένο θα εννοούσαμε ότι πρέπει να είμαστε από εδώ και πέρα. Δηλαδή γι' αυτό σας λέω λίγο προσοχή στο πως, δεν ξέρω πως θα έπρεπε εδώ να γραφτεί λίγο καλύτερα. Δηλαδή έτσι ήταν γραμμένο στην περιγραφή. Πραγματικά λίγο δυσκολεύει, δεν ξέρω πως θα έπρεπε να είναι λίγο καλύτερα, λίγο πιο εύκολο. Εφόσον έχουμε το σχήμα όμως, είμαστε σίγουροι για ποια περιοχή μιλάμε. Εντάξει. Θα μπορούσε κανείς να το γράψει, να ξεκινήσει να το γράψει ανάποδα αυτό. Να γράψει ότι το VDS1 θα πρέπει να είναι μικρότερο από το VGS-VTFP. Και αν εδώ είναι μικρότερο, σημαίνει ότι το VG1 θα πρέπει να είναι μεγαλύτερο. Θα μπορούσε να γραφτεί και ανάποδα η ανισότητα. Θα καταλήγαμε στο ίδιο συμπέρασμα. Δείτε λίγο, εάν αυτό εδώ είναι μεγαλύτερο, λέμε ότι το VG1, δηλαδή το Y σε μην, πρέπει να είναι μεγαλύτερο από αυτό. Ίσως θα ήταν πιο σωστό να γραφτούν ανάποδα αυτές οι ανισότητες και να ξεχάσουμε την ιστορία με την απόλυτη τιμή. Ορίστε. Ναι, πάντως σας λέω ότι για να μην υπάρχει μπερδέμα, να μην μπερδεύεστε εσείς σε περίπτωση που έχετε να απαντήσετε σε αριθμητική αντικατάσταση, αυτή η ιστορία εδώ με αυτό το διάγραμμα είναι αυτό που πρέπει να θυμάστε. Και στις δύο περιπτώσεις θέλουμε να φύγουμε αριστερά ή δεξιά, εκτός δηλαδή να είμαστε στο οριζόντιο τμήμα των χαρακτηριστικών. Η ίδια σκέψη όσον αφορά την παραμονή του Q5 στον κορεσμό θα μας δώσει το αποτέλεσμα για τη μέγιστη τιμή. Δηλαδή η απέτηση να μείνει το Q1 στην περιοχή κορεσμού μας δίνει την ελάχιστη τιμή, η απέτηση του Q5, η πηγή, να μείνει στον κορεσμό θα μας δώσει τη μέγιστη τιμή. Το ίδιο πράγμα γράφουμε και εδώ. Επομένως λύνουμε για τη τιμή που θα μπορούσαμε να έχουμε στην είσοδο, το VGS δηλαδή, και βλέπουμε ότι επειδή το VD5, η τάση εδώ, προκύπτει ότι θα πρέπει να είναι μικρότερη ίση από 2,2 V, δηλαδή η μέγιστη τιμή μπορεί να πάει εδώ, αφού αυτό είναι 2,5 V, αυτό είναι 2,2, έτσι με δεδομένα ότι έχουμε 0,3 τάση υπεροδήγησης. Άρα, 2,2 και επομένως θα πρέπει να έχουμε και το VGS εδώ το απαιτούμενο, το οποίο είναι 1,1 V. Άρα βλέπετε ότι εδώ έχουμε μόνον 1,1 V μέγιστο, δηλαδή όσον αφορά το ενεργό φορτίο δεν μας κόβει πολύ. Από τα 2,5 V μας πάει στα 2,3. Όσον αφορά την πηγή, η πηγή είναι που κάνει την μεγάλη απόσταση. Δηλαδή, από την πλευρά που είναι η πηγή, θα έχουμε την μεγάλη απόλυα, ας το πούμε έτσι. Δηλαδή βλέπετε ότι ενώ εδώ πλησιάζουμε αρκετά κοντά την τάση προβοδοσίας, εδώ απέχουμε αρκετά. Είμαστε κάτω από το μισό. Χάνουμε δηλαδή πολύ. Θέλει μεγάλο περιθώριο να αφήσουμε για την καλή λειτουργία της πηγής. Επομένως αυτό είναι ένα θέμα, ένα πρόβλημα πρακτικό για τη λειτουργία. Εννοείται ότι αυτός ο ενισχυτής, εφόσον έχει πημός-ίσοδο, έχουμε αυτό το πρόβλημα προς τα πάνω. Εάν τυχόν ήταν ανάποδα, ήταν με ενμός ή είσοδος, που σημαίνει ενμός και η πηγή. Πημός ο καθρέφτης, το ενεργό φορτίο, τότε η παρατήρηση αυτή θα ήταν ανάποδα. Δηλαδή, με άλλα λόγια, εάν έχετε παιμός-ίσοδο, σαν γενική παρατήρηση. Αν έχετε πημός-ίσοδο, είστε καλά ως προς τη χαμηλή τάση, απέχετε πολύ ως προς την υψηλή θετική τάση. Ανάποδα, εάν έχετε ενμός-ίσοδο, θα έχετε καλή συμπεριφορά ως προς την υψηλή και κακή συμπεριφορά, μεγάλη απώλεια ως προς τη χαμηλή. Επομένως, ένα τρίγ που υπάρχει, αν θέλετε να σχεδιάσετε έναν τελεστικό ενισχυτή, που να είναι καλά και προς τα πάνω και προς τα κάτω, είναι να βάλετε δύο ζεύγι παράλληλα. Υπάρχουν τέτοιες σχεδιάσεις παράλληλα. Δηλαδή, και ενμός-ίσοδος με το set, όπως το βλέπουμε εδώ, και ενμός-ίσοδος με τα αντίστοιχα transistor. Και, σε αυτή την περίπτωση, μπορεί το συνολικό σύστημα, το συνολικό κύκλωμα, να ανταποκριθεί καλά σε αρκετά καλές θυμές, αρκετά κοντά στην τροφοδοσία. Τα είχαμε σχολιάσει αυτά και παλιότερα. Όσον αφορά την έξοδο, η ίδια λογική. Θέλουμε και τα δύο transistor, και το transistor ενισχυτή και το ενεργό φορτίο του, να παραμείνουν στον κορεσμό. Επομένως, πρέπει οι τάσεις V-DS να είναι μεγαλύτερες από την τάση υπεροδίγησης. Και αυτό πρακτικά μας οδηγεί στο να υπολογίσουμε τις αριθμητικές θυμές, με δεδομένο ότι όλα τα στοιχεία τα ξέρουμε. Βλέπετε ότι και για το ένα transistor και για το άλλο, προκύπτει καλή τιμή. Δηλαδή, στην έξοδο, η έξοδος μπορεί να είναι αρκετά κοντά. Ουσιαστικά, χάνουμε μία τάση υπεροδίγησης και είμαστε αρκετά κοντά στην τροφοδοσία. Εννοείται ότι μπορείς να χρησιμοποιήσεις σήμα μέσα στα όρια στην είσοδο, έτσι ώστε, αν αυτή είναι η μέγιστη έξοδος, θα είναι το 1-2.000 αυτούν. Άλλο πράγμα είναι η ίσχυση. Δηλαδή, εδώ λέει τα πραγματικά όρια, δηλαδή πραγματική τιμή, πόσο θα είναι το σήμα σου. Εάν υπάρχει πρόβλημα, μπορεί το σήμα σου να μην είναι εδώ, να είναι εδώ. Ή να είναι εδώ. Δηλαδή το σήμα σου θα είναι αρκετά μικρό, ώστε να μπορεί να αποδοθεί από μίον 2 έως 2,2 έως 2,2, έτσι. Το που θα είναι όμως, εξαρτάται από αυτές τις τιμές. Δηλαδή, είναι θέμα του πόσο, σε ποιο σημείο θα βρίσκεται το σήμα που θα ενισχύσεις, σε ποιο επίπεδο. Δηλαδή, θα μπορούσε ένα σήμα, ας πούμε, να είναι αρκετά μικρό, αλλά να είναι αρκετά ψηλά, ώστε να μην μπορεί να το ενισχύσει. Δηλαδή, αν τυχόν, ξεφεύγει από το 1,1 πιο πάνω, δεν θα μπορεί να το ενισχύσει, παρόλο που θα μπορούσαμε να το κάνουμε κάτι. Θα μπορούσε να είναι δυνατή η ενίσχυση. Αν το 1,1 δυσκολά να είναι, ας πούμε, από 0,0,0,0,0,0 έως 1,0,0,0,0. Ναι. Δεν θα μπορεί να το ενισχύσει. Όπου μπορεί. Δηλαδή, αυτή εδώ οι περιορισμοί είναι δύο ανεξάρτητες παρατηρήσεις, έτσι. Και ανάλογα και με το κέρδος που θα βγάλεις, βγάζεις το συμπέρασμά σου για το που μπορεί να είναι. Δεν σημαίνει ότι μπορείς να καλύψεις όλο το εύρος αυτό. Εδώ μια γενικότητα, ναι, ορίστε. Ναι, πραγματική τιμή. Είναι η πραγματική τιμή. Ολική τιμή. Δηλαδή, προσέξτε, εδώ τώρα συζητάμε για ολική τιμή. Δεν μπορεί, δηλαδή, η τιμή να ξεπεράσει τα 2,2 V. Μπείς ή και είσαι μαζί? Αν το παιδιά μορμάλικο σχόλου δεν θα έρθει στο 1,000, είναι σχετικά. Ναι, δεν μπορείς. Δεν μπορείς. Όχι, δεν μπορείς. Θα πρέπει να είναι τόσο το σήμα σου, ώστε να είναι το 1,000, μια στιγμή, η οποία δεν θα ξεπεράει τα 2,2 V. Επίσης, εδώ, μια παρατήρηση. Πώς θα μπορούσε να βελτιωθεί, έστω και κατά τι, θα μπορούσε να βελτιωθεί, αν τυχόν μειώναμε το Vover Voltage. Έτσι. Μειώνοντας το Vover Voltage, μειώνει το κέρδος. Άρα, λοιπόν, κάπου, ας πούμε, υπάρχουν τέτοιες παρατηρήσεις, οι οποίες είναι χρήσιμες για το στάδιο της σχεδίασης. Δηλαδή, αν τυχόν δείτε από τις εξισώσεις εδώ, το gm είναι αντίστροφο του Vover Voltage. Μειώνεις το Vover Voltage, μπορεί να αυξήσεις το gm. Μπορεί με αυτόν τον τρόπο, βέβαια, να αυξήσεις και το εύρος, έτσι. Αλλά το θέμα είναι ότι πιάνει τα όρια. Πόσο μπορείς να πιάνεις τα όρια λειτουργίας. Βάση πάντως, αυτό είναι ένα θέμα το οποίο είναι γενικότερο, δεν θα φτάσουμε να το αναλύσουμε. Και επομένως, αυτά όσον αφορά την γενικότερη, μάλλον μια πρώτη ματιά για την λειτουργία του τελεστικού. Το επόμενο θέμα εδώ είναι η τάσης εκτροπής. Άλλο ένα θέμα που είχαμε δει, δηλαδή αυτό το δίνουμε και σαν γενικότερη παρατήρηση. Πρέπει να ισχύει πάντοτε, θα το χρησιμοποιήσουμε και στη σχεδίαση. Έτσι ένας περιορισμός, γιατί θέλουμε να ισχύει αυτή η σχέση, γιατί αν τυχόν γιώσουμε τις εισόδους, δηλαδή εισόδος 0, διαφορική εισόδος 0, θα πρέπει αυτά τα δύο ρεύματα να είναι ίσα, έτσι ώστε το ρεύμα στην έξοδο να είναι 0. Ίσοδος 0, έξοδος 0. Αυτό για να το πετύχουμε, πέρα από όσα προβλήματα είχαμε δει αναλυτικά, θα πρέπει αν μη τι άλλο, το Ι6 και το Ι7 να είναι ίσα. Τι σχέση έχουν όμως αυτά τα δύο ρεύματα σε σχέση με τα ρεύματα που έρχονται και πολλώνουν τις δύο βαθμίδες. Το Ι6 είναι από τη συσχέτιση των δύο transistor, Ι4 και Ι6, το Ι6 προκύπτει επί το Ι2, συσχετίζουμε δηλαδή αυτά τα δύο ρεύματα, συσχετίζουμε αυτά τα δύο ρεύματα, τα οποία έχουν να κάνουμε τη σχέση των μεγεθών των δύο transistor, άρα το ένα ρεύμα Ι6 προκύπτει με αυτήν την μορφή από τη σχέση εδώ των δύο transistor, το Ι7 προκύπτει με αυτήν την μορφή, συσχέτιση με αυτό το ρεύμα από τα Q5 και Q7, για να είναι ίσα αυτά τα δύο μεταξύ τους, έτσι, πρέπει να ισχύει αυτή η συσχέτιση. Ωραία, αυτή η συσχέτιση είναι λοιπόν για να μπορούμε να έχουμε την έξοδο, έτσι, θυμίζω, η έξοδος του διαφορικού ενισχυτή να περνάει, αυτό είναι από τον διαφορικό ουσιαστικά, έτσι, και ο τελεστικός ενισχυτής μια τέτοια συνάρτηση μεταφοράς έχει, γιατί ακριβώς βασίζεται στον διαφορικό ενισχυτή εισόδου. Άρα λοιπόν, το να περνάει για μηδέν είσοδο, να έχουμε μηδέν έξοδο, έτσι, θα πρέπει να ισχύει κάτι τέτοιο και όπως ξέρουμε δεν ισχύει, έτσι, για άλλους λόγους, ανισορροπίας των δύο κλάδων και λοιπά και λοιπά διαφοροποίησης της κατασκευής των εξαρτημάτων και όλα αυτά. Επομένως, αυτό είναι μία σχέση, η οποία ούτως ή άλλως πρέπει να ισχύει, καταρχήν, για να μην έχουμε πρόβλημα τάσης εκτροπής. Για την απόκριση συχνότητας, εδώ είναι μία ανάλυση που είχαμε δει, όσον αφορά την συμπεριφορά ολόκληρου του κυκλώματος. Δηλαδή, έχουμε την πρώτη βαθμίδα, που είναι το διαφορικό ζεύγος, έχουμε τη δεύτερη βαθμίδα, που είναι ο ενισχυτής κοινής πηγής και μεταξύ τους έχουν αυτή τη χωρητικότητα. Τα δύο ισοδύναμα, αν κάνουμε τους υπολογισμούς, εδώ βλέπετε τι σημαίνει χωρητικότητα σε ένα, έτσι τι σημαίνει χωρητικότητα σε δύο, που υπάρχει εδώ. Εδώ μέσα είναι και η χωρητικότητα φορτίου, έτσι στη σε δύο. Παίρνουμε τις εξισώσεις των ρευμάτων στους δύο κόμβους, σ' αυτόν και σ' αυτόν και λύνουμε ως προς W0 προς WID, έχει μία σειρά πράξεων εδώ. Το ενδιαφέρον είναι εδώ ότι μπορούμε να δούμε ότι αυτό το κύκλωμα έχει ένα μηδενικό και δύο πόλους. Είναι δευτέρου βαθμού ως προς τη συχνότητα, άρα έχουμε δύο πόλους και ένα μηδενικό. Είναι αυτό που σας έλεγα ότι συνολικά έχουμε μία απόκριση συχνότητας η οποία δεν είναι τόσο φιλική για να κάνουμε υπολογισμούς. Έχει αρκετά σημεία καμπής. Δεν μας βολεύει αυτό, είπαμε θέλουμε κάτι καλύτερο. Άρα το μηδενικό από τον αριθμητή. Για τον παρονομαστή βλέπετε είναι μία δευτέρου βαθμού. Θα μπορούσε κανείς να την επεξεργαστεί κανονικά σαν δευτέρου βαθμού, θα έμπλεκε αρκετά. Θεωρούμε ότι υπάρχουν δύο πόλοι Ωπ1, Ωπ2, επομένως η συνάρτηση είναι αυτής της μορφής. Και αν κάνουμε τις πράξεις εδώ, σε αυτήν την μορφή βγαίνει αυτή εδώ η έκφραση. Και εδώ, εξαιτίας των πραγματικών αριθμητικών στοιχείων που έχουμε εμπειρικά, η τιμή για τη συχνότητα Ωπ2 είναι πολύ μεγαλύτερη από την Ωπ1. Άρα λοιπόν εδώ ξεκινάμε με αυτήν την υπόθεση, η οποία επαναλαμβάνω εμπειρικά ισχύει. Θα είναι λοιπόν, διώχνουμε αυτόν εδώ τον δεύτερο όρο και έχουμε έναν πρωτοβάθμιο και έναν δευτεροβάθμιο όρο. Επομένως μας βολεύει πάρα πολύ αυτή η προσέγγιση για να βλέπετε να βγάλουμε κατευθείαν το συμπέρασμα. Δηλαδή, ο συντελεστής του πρωτοβάθμιου όρου είναι κατευθείαν ο πόλος 1. Αυτός ήταν ο στόχος αυτής της προσέγγισης. Ο συντελεστής του δευτεροβάθμιου όρου είναι το γινόμενο, αλλά αφού έχουμε βρει ήδη αυτό, βρίσκουμε το Ωπ2. Επομένως, κάνουμε εδώ και κάποιες προσεγγίσεις βέβαια, έτσι, για να απλοποιήσουμε και να φτάσουμε σε μια τέτοια μορφή. Εδώ επίσης κάνουμε προσεγγίσεις και φτάνουμε σε αυτήν εδώ τη μορφή. Και το ΩΜΕΓΑΤΑΦ, δηλαδή το ΩΜΕΓΑΤΑΦ είναι το γινόμενο η συχνότητα μοναδιέου κέρδους, γινόμενο κέρδους επιεύρους ζώνης. Θεωρούμε ότι αυτό είναι το γινόμενο κέρδους επιεύρους ζώνης και βγαίνει ότι έχει αυτήν εδώ τη μορφή. Έτσι η επιλογή, αυτό θα μας χρησιμεύσει στη σχεδίαση, η επιλογή λοιπόν αυτής της χωρητικότητας γίνεται έτσι ώστε αυτό, το οποίο είναι το ΩΜΕΓΑΤΑΦ, να βγαίνει μικρότερο και από την τιμή του μηδενικού και από την τιμή του δεύτερου πόλου. Ναι, είναι η συχνότητα, το αντίστοιχο της FΤΑΦ, το ΤΑΦ είναι η συχνότητα, η απόκριση, ας ξαναζωγραφίσω εδώ, οι πόλοι στους οποίους αναφερόμαστε θα μας δώσουν αυτή τη συχνότητα, την ανώτερη συχνότητα αποκοπής, ενώ το FΤΑΦ είναι αυτό εδώ, το μοναδιέο. Και αυτό μας ενδιαφέρει πάρα πολύ, γιατί πέρα από αυτή τη τιμή, ένα από τα δύο να μας δώσει κανείς βέβαια βρίσκουμε το άλλο, γιατί αυτή η κλήση, είπαμε, είναι, εφόσον θεωρούμε ότι υπάρχει ο επικρατών κόλλος, σαφώς μπορούμε να βρούμε αυτή η κλήση είναι 20dB, μη 20dB, ένα δεκάδο, εν πάση περίπτωση μας ενδιαφέρει γιατί πολλές φορές θέλουμε να χρησιμοποιήσουμε τον ενισχυτή μας, όχι με το μέγιστο κέρδος του, γιατί μας ενδιαφέρει απόκριση συχνότητας, να δούμε τι γίνεται σε μια συχνότητα μεγαλύτερη από την ανώτερη συχνότητα αποκοπής του. Και να τον λειτουργήσουμε εκεί τον ενισχυτή, δηλαδή από, σε αυτή τη συνάτηση μεταφοράς, η πιο χαμηλή συχνότητα από όλες, έτσι, που θα καθορίσει το fH, είναι το Ωπ1, και έχει αρκετή απόσταση από το π2 και το Ωζ, έτσι ώστε να μπορούμε να τη θεωρήσουμε ανεξάρτητα. Θυμάστε τις επαλληλίες που κάναμε των συχνοτήτων. Αν, τυχόν, δεν είναι αρκετή απόσταση, και αρκετή απόσταση θεωρούμε, ας πούμε, μια δεκάδα επί δέκα, τότε πλέον έχουμε αλληλεπίδραση στη συνάρτηση, στην απόκριση. Θέλουμε, λοιπόν, εδώ, πρακτικά, κατά το δυνατόν, η συχνότητα Ωπ1 να είναι η αμέσως επόμενη, η Ωπ2, να είναι δέκα φορές μεγαλύτερη, τουλάχιστον. Και αντίστοιχα το μηδενικό, το Ωζ. Δεν μας ενδιαφέρει, δηλαδή όλα αυτά θα επηρεάσουν αυτήν την καμπύλη εδώ σε αρκετά μακρινή απόσταση. Λοιπόν, νομίζω ότι αρκετά είπαμε για σήμερα.